[NP_O_15] DC characteristics of gate-all-around nanowire junctionless transistors.pdf

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본 논문은 300K 에서 동작하는 gate-all-around nanowire junctionless transistor의 도핑 농도에 따른 DC 특성을 NEGF-Poisson solver를 사용하여 조사했다. Source/channel/drain 영역의 길이가 모두 같고, 전체 길이가 60[nm]일 때, 도핑 농도를 1×〖10〗^17 [cm^(-3)]-1×〖10〗^20 [cm^(-3)]로 변화하면서 전달 특성 곡선을 얻었다. 도핑 농도가 증가할 때, on-current가 증가하고 threshold voltage는 감소하는 경향성을 보였으나, 도핑 농도가 1×〖10〗^20 [cm^(-3)]일 때 충분히 depletion 되지 않았다.
경진대회: 나노물리 나노물리 » 7회 경진대회
태그: nanowire_fet tb_em_nw tb_em_negf thz kg nwbte
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20. 5. 20 오후 4:32
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본 논문은 300K 에서 동작하는 gate-all-around nanowire junctionless transistor의 도핑 농도에 따른 DC 특성을 NEGF-Poisson solver를 사용하여 조사했다. Source/channel/drain 영역의 길이가 모두 같고, 전체 길이가 60[nm]일 때, 도핑 농도를 1×〖10〗^17 [cm^(-3)]-1×〖10〗^20 [cm^(-3)]로 변화하면서 전달 특성 곡선을 얻었다. 도핑 농도가 증가할 때, on-current가 증가하고 threshold voltage는 감소하는 경향성을 보였으나, 도핑 농도가 1×〖10〗^20 [cm^(-3)]일 때 충분히 depletion 되지 않았다.
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